shinkuu濺射設備、磁控濺射原理介紹
飛濺是一個表達小粒子如何分散的詞。
“濺射"是詞源，代表散射的象聲詞。
如果你想象一下談話時唾液的飛濺，或者弧焊時飛濺的火花，就會更容易理解。
真空工業(yè)中的濺射是指用正離子轟擊目標金屬，使目標金屬的顆粒飛離并沉積在物體上。
本頁簡要介紹了我們產品中主要使用的磁控濺射原理，以及其他具有代表性的濺射方法。
散射粒子的濺射技術有多種，但我們的濺射設備采用磁控濺射技術，濺射效率高。
其原理是首先在真空中產生等離子體。
等離子體是一種不穩(wěn)定狀態(tài)，其中帶正電的氣體離子原子（正離子）和帶負電的自由電子自由循環(huán)。由于放置在目標后面的磁鐵的力量，它被密集地捕獲在磁場中。在這個磁場中四處移動的正離子與目標表面的負電位發(fā)生碰撞。
被彈飛（濺射）的目標金屬顆粒將飛向樣品。即通過利用磁鐵的力量，可以以較少的電力高效地產生等離子體，正離子聚集在磁場強的地方反復碰撞，成為濺射效率高的成膜方法。
磁控濺射法的特點
由于高密度等離子體區(qū)域與樣品臺分開，因此對樣品的損壞很小。
高沉積率
目標利用率低。在高等離子體密度下消耗更多
目標僅限于導電金屬和合金
磁控濺射設備配置圖
它被認為是直流濺射的原型，也被稱為平行板型。
以靶材為負極，樣品側為正極，施加電壓以產生等離子體并從靶材噴出金屬顆粒。
雖然結構簡單，但產生等離子體需要大量的氣體和電壓，因此引入的氣體會干擾成膜效率。此外，由于負電子流入樣品，溫度升高，樣品損壞。
2極濺射法的特點
結構簡單
產生等離子體需要大量能量
負離子流入正極，對樣品造成很大的破壞。
目標僅限于導電金屬和合金
兩極濺射裝置配置圖
可以濺射絕緣體。
由高頻電源經由匹配箱（matching box）向電極供電。產生等離子體時，正離子和負離子通過高頻振動，流向靶側和樣品側。負離子傾向于流向導電面積大的樣品側，結果，樣品側變成正極，絕緣靶側被負偏壓。正離子轟擊負偏壓的靶材，濺射絕緣體。
射頻濺射法的特點
絕緣體濺射是可能的。
與直流濺射相比，速率更低，對樣品的損傷更大。
高頻電源價格昂貴且復雜，通常使用工業(yè)分配的頻率（13.56 MHz）。
無電極感應放電也是可能的。
RF（射頻）濺射設備配置圖
相關產品介紹
| 設備 | 特征 | 目標金屬 |
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| 設備 | 特征 | 目標金屬 |
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這是一種特殊的濺射設備，支持在半導體制造過程中對大面積晶片進行濺射。提供 8 英寸和 12 英寸兩種尺寸。
| 設備 | 特征 | 目標金屬 |
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這是一款能夠濺射各種金屬的型號，包括備受關注的鎢。它用于廣泛的領域，從表面觀察到實驗應用。高潔凈度的真空區(qū)域對于制作的樣品是不可少的。MSP-40T 可通過渦輪泵排氣在真空區(qū)域進行濺射。
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