TK-100露點儀在半導體行業(yè)的運用特點

測量氣體中的水蒸氣露點溫度的儀器叫做露點儀。露點儀因所使用的冷卻方法和檢測控制方法不同，可以分為多種類型。這里只介紹熱電制冷自動檢測露層的平衡式精密露點儀在半導體芯片生產中的應用。

       露點儀在半導體芯片的生產工藝中起重要監(jiān)測作用。半導體芯片的生產是在

凈化間內進行的。凈化間規(guī)范往往包括相對濕度（RH）這一項，一年內控制點的范圍從35%到65%，精度2%（70℃以下）濕度超標會影響產品質量及生產計劃的完成。

        在半導體芯片生產區(qū)，濕度不穩(wěn)定，會出現很多問題。最典型的問題是烘干期延長，整個處理過程變得難以控制。當相對濕度高于35%時，元件易被腐蝕。此外，將顯影液噴在芯片表面時，顯影液迅速揮發(fā)，使芯片表面溫度下降，致使水汽凝結在芯片表面。凝結水不但會影響顯影特性，還會吸收到半導體內，這將導致膨化及其它質量缺陷，還必須增加一些不必要的工藝控制。  

        凈化間常用的除濕方法有兩種。一種是調節(jié)空氣，另一種是除濕劑。采用第一種方法時，將與凈化間氣流接觸的表面的溫度降至氣流露點以下。除去析出的冷凝水，將除濕后的空氣加熱至規(guī)定溫度后，重新送回凈化間。標準冷凍機可保證露點達到+4℃；采用第二種方法時，氣流通過吸濕劑，吸濕劑直接吸收氣流中的水分，然后將除濕后的空氣送回凈化間。吸濕劑除濕法可使露點低于-18℃。

      另外，半導體芯片需在化學氣相沉積外延反應爐中加工，將一層穩(wěn)定的單晶硅膜沉積在芯片上。在加工過程中反應爐中的水氣和氧氣會污染沉積膜而降低

產量。

         反應爐工作氣壓范圍從高真空度到大氣壓，可在約344kPa壓力下預凈化處理。該工藝所需的氣體包括：胂化氫、磷化氫、氫、氮和氬等。膜沉積工藝質量取決于對氣體混合及質量流量的控制。產量取決于濕度的控制精度。也就是說，濕度及氧的測量，對設計嚴格的氣體混合規(guī)范十分重要，整個工藝過程離不開熱電制冷自動檢測露層的平衡式精密露點儀的監(jiān)測。

特征

• 國內開發(fā)、國內制造、國內校準

• 露點測量范圍-100至+20℃dp

• 精度±2℃dp

• 高響應速度

• 有競爭力的定價體系

• 交貨快捷

• 完善的支持體系

• 可追溯至國家標準

主要用途

• 手套箱內的露點控制

• 干燥機露點檢查

• 熱處理爐內氣氛控制

• 潔凈室和干燥室的露點管理

• 氣體純度控制

• 天然氣水分管理

• 半導體制造設備

• 有機EL制造